應用於3D IC封裝之20μm Pitch微銲錫凸塊接合技術與可靠性評估

 

刊登日期:2010/9/5
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為建構可應用於3D IC 封裝之微銲錫凸塊接合技術,本研究以20 μm Pitch 之Sn2.5Ag 微凸塊將厚度100 μm 之薄晶片在280°C 與厚度300 μm 之矽載板(Si Interposer)接合後,隨即進行晶片間微間隙(Microgap)之底膠填充(Underfill Filling),並在烘烤固化後,以超音波掃描(Scanning Acoustic Tomography; SAT)觀察膠材填隙率。為除去水氣之影響,將填膠後之組裝良品置於125°C 烘箱中24 h ,隨即取出並存放於30°C/60% RH 環境下192 h 後,在峰溫260°C 迴銲
(Reflow)三次,即完成預篩選測試(Precondition Test)。最後將合格樣品分別進行溫度循環、熱衝擊、高溫儲存、溫濕儲存與壓力鍋等可靠性測試,並以切片分析探討可能的失效機構。結果顯示,溫度循環與熱衝擊環境下的疲勞應力仍是引發失效的主因。


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