京都大學開發了一項可製作出高品質錫(Sn)鈣鈦礦半導體薄膜的塗佈成膜法，此方法具有高泛用性，並可應用於大面積基板的塗佈。由於鈣鈦礦太陽電池可透過塗佈製程製作，因此被視為次世代太陽電池的有力候選。而從環境負荷的角度而言，無鉛(Pb-free)材料中的「錫鈣鈦礦」備受矚目。但Sn系材料的光電轉換效率低於Pb系，且製作出的電池面積通常小於1 cm²。
造成此一差異的原因之一在於結晶化機制的不同。一般Pb鈣鈦礦薄膜製造係於旋轉塗佈過程中滴加「反溶劑(Antisolvent)」，使其經由與溶劑形成錯合物的中間相而結晶化。而Sn鈣鈦礦則是從前驅體溶液直接結晶化，因此若要形成無針孔的Sn鈣鈦礦薄膜即須對反溶劑進行複雜條件最佳化，且容易受到基板潤濕性的影響。
針對這些問題，京都大學開發出「利用結晶成長控制劑之真空乾燥法（V-CGR 法）」。具體而言係於前驅體溶液中添加對Sn離子具有強鍵合作用的咪唑類(Imidazole)衍生物作為結晶成長劑，並透過真空乾燥去除溶劑，促使Sn鈣鈦礦薄膜經由非晶質中間相生成。
研究顯示，形成的中間膜為SnI₂錯合物包覆Sn鈣鈦礦微結晶的平坦非晶質固體。經過加熱處理後，咪唑衍生物脫離並揮發，最終得到均勻的Sn鈣鈦礦薄膜。相較既有手法，此次開發的成膜方法不易受到基板潤濕性的影響，因此即使在高疏水性的單分子膜材料（如MeO-2PACz或2PACz），仍可成功形成Sn鈣鈦礦半導體膜。此外，新方法避免使用具氧化性的溶劑二甲基亞碸(DMSO)，進一步提升了Sn鈣鈦礦太陽電池的熱穩定性。京都大學也製作出大面積Sn鈣鈦礦薄膜，成功實現面積達21.6 cm²的七片串聯模組。