名古屋大學開發了一項適用於次世代功率半導體氧化鎵(Ga2O3)之摻雜技術，透過注入鎳(Ni)離子並結合兩階段熱處理，形成p型氧化鎳(NiO)層，成功實現低成本的p型半導體層應用。研究團隊也成功試作出雙極性pn二極體，其電流為現有蕭特基二極體的2倍。除此之外，名古屋大學衍生的創投公司NU-Rei已獲得該技術的使用許可，並將推進其商業化
氧化鎵被視為可望超越碳化矽(SIiC)與氮化鎵(GaN)之電力效率的半導體材料，預期市場規模至2035年將達到149億日圓。目前雖然已可製造塊材單晶基板，但以氧化鎳進行的既有p型形成技術僅有異質磊晶成長的報告，在應用性與生產性方面仍有課題待解決。
新技術中，首先將鎳離子注入氧化鎵中，接著使用團隊開發的裝置在氧自由基照射下，進行300℃的熱處理以形成氧化鎳。隨後在於含氧環境下以950℃進行快速熱退火(RTA)，結果確認在氧化鎵中形成的氧化鎳可以作為摻雜劑（不純物），進而形成由電洞導電的導通層（受體層）。
名古屋大學表示，新技術為基於工業上廣泛使用的離子注入與熱處理技術，因此容易應用於功率元件的製造，且有利於大規模生產，今後可望成為氧化鎵實用化的關鍵技術。名古屋大學與NU-Rei也將持續推動氧化鎵材料與元件開發的共同研究，期加速達到實用化之目標。