日本立命館大學衍生新創企業Patentix近來與立命館大學合作，利用PhantomSVD(假想局部氣相沉積)方法，成功地以備受關注的次世代半導體材料「金紅石結構二氧化鍺(r-GeO2)」實現了在碳化矽(SiC)上的成膜。
Patentix積極推動利用超寬能隙半導體(UWBG)材料「二氧化鍺」進行半導體基板、功率裝置的研發。由於r-GeO2具有比SiC、氮化鎵(GaN)更大的能隙，因此利用r-GeO2的電晶體、二極體具有高耐壓、高輸出、高效率(低損耗)等優異的功率元件特性
日本在r-GeO2功率元件的開發方面處於世界領先地位，Patentix則致力於r-GeO2磊晶晶圓的研究開發，並利用獨家PhantomSVD法進行製膜。此方法可使用安全且低價的原料，具有優異的成本效益比，且有別於採用霧化溶液的既有CVD法，能以不同的原理進行結晶成長，實現更安全、安心的薄膜合成。
透過此次的研究成果，將可望藉由利用具有優異散熱性的SiC解決氧化物半導體功率裝置開發所面臨之基板低熱傳導率的問題。今後研究團隊將進一步展開r-GeO2薄膜的電氣特性、薄膜缺陷等評估研究，期進一步開發出高品質之r-GeO2磊晶成膜技術。