本實驗是利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)或電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)在矽晶片的(100)晶格面上來沉積氮化矽(SiNx)，並配合Surface Micromachining的技術，在氮化矽Membrane上製作光學元件。其中氮化矽蝕刻的輪廓和深度的控制，可利用濕式蝕刻或乾式蝕刻兩種方式完成，如濕式蝕刻利用二氧化矽蝕刻液(Buffer HF; BHF or BOE)和氫氧化鉀(KOH)，乾式蝕刻利用電感式耦合電漿(Inductively Coupled Plasma, ICP)。在本文會詳細介紹及描述。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 晶圓鍵合技術及其應用 Patentix等成功地利用次世代半導體材料r-GeO2在SiC成膜 使白金薄膜具備半導體性質的新技術 兼具超高性能與低成本特性之太陽電池與功率半導體新貼合技術(上) 從先進的半導體與微機電(MEMS)技術看下世代醫療產業新商機 熱門閱讀 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 固態鋰離子電池技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司