京都大學的白石誠司教授等人，開發出使導電性佳的金屬具備半導體般性能的手法。以往，電晶體的製作上金屬材料難以使用，因此可說是先驅的技術。
半導體材料矽等物質，由於內部電子少，因此導電性並不好，要加上一些微量元素、施以電壓，電才有辦法流動。研究小組認為，只要將金屬弄成極薄，減少內部的電子數量，便能具備半導體的性質。
實驗中，則是以2nm的白金薄膜，在磁性絕緣體-釔鐵石榴石（yttrium iron garnet;YIG）的基板上製作。接著加入離子液體，在零下23度下施加電壓。依據減少/增加內部電子數量的方向，刻意改變電壓至2V的話，薄膜的電阻值變化最大可達2倍此外，此研究亦成功控制白金薄膜因磁性所形成的"Spin current"。從基板把Spin current注入白金就會變成電流，但根據施加的電壓，就能改變其動作。不過，這套用在厚度10nm的白金薄膜時，則沒有變化，此技術將可望應用於節能元件的開發等方面。