日本Daicel發表成功地開發出一項可保護半導體晶圓避免受到半導體製程中常用之氫氟酸等蝕刻劑影響的材料。半導體製程中濕式蝕刻的蝕刻選擇比可說是微細加工技術的關鍵，隨著摩爾定律的發展，製程線寬的不斷縮小，高選擇比蝕刻也越來越重要。目前在提高蝕刻選擇比的方法中，在目標位置選擇性形成薄膜的「區域選擇性沉積法(Area Selective Deposition; ASD)」備受關注。利用此項手法可以選擇性地在不想溶解的薄膜上形成保護膜以抑制在蝕刻溶液中的溶解，但通常須在高真空下將晶圓暴露在極其昂貴的氣體中，因此仍有成本與生產性的問題有待解決。
有鑑於此，Daicel開發了一款含有獨家樹脂的液劑，可利用做為蝕刻溶液的保護劑。由於Daicel的獨家樹脂對氮化矽膜具有很強的吸附作用，利用新開發的保護液劑處理晶片，將可在氮化矽膜上選擇性地形成保護膜，抑制在氫氟酸中的溶解，且不會對氧化矽膜的蝕刻速度產生不利影響。由於吸附力強大，Daicel將保護液中所含的獨創樹脂命名為「奈米刺果(Bur)」。Daicel的保護液劑除了在生產性方面提高了蝕刻選擇比，且能以低成本進行蝕刻之外，另具有可使用半導體製造工廠既有蝕刻液的優點。