覆晶凸塊技術(Flip Chip Bumping Technology)

 

刊登日期:1998/7/5
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打線接合(Wire Bonding)一直是封裝中最佳的方式,在1995 年之前95%的產品都使用此一接線方式,然而近來隨著IC 之I/O 數不斷的增加,Flip Chip 的使用有逐漸擴大的趨勢。覆晶技術(Flip Chip Technology)是以金屬導體將裸晶以表面朝下的方式與基板(Substrate)連結的技術。金屬導體可為金屬凸塊(Metal Bump)、捲帶接合(Tape-Automated Bonding)、異方性導電膠(Anistropic Conductive Adhesives)、高分子凸塊(Polymer Bump)、Wire Bond。三)。其中以金屬凸塊為覆晶接合技術之主流,且是目前已被使用於量產的技術。覆晶接合技術除具有接合引線短、傳輸遲滯 (Propagation Delay)低、高頻雜訊易於控制、Self-induc-tance 低(為0.1~0.4nH 而Wire Bond 為2.0~4.0nH )等特性外,其與傳統的Wire Bond 及TAB 技術之比較如表一所列。
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