現今封裝結構的趨勢為輕薄短小，不僅是在體積上大幅的縮小，相對地在電性上也有改善的空間，而在功率模組上也走向Power SiP(System in Package)的封裝結構。本文即針對內埋式的功率模組進行結構設計與電性模擬，以600V/20A的IGBT與Diode為規格，內埋入兩顆IGBT與兩顆Diode功率元件，形成一個半橋式的功率模組，將可運用於PV Inverter最後輸出的功率轉換部分，以降低原始電路設計的寄生電阻與電感，更增進系統的效率。
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