內埋式SiP功率模組設計簡介(上)

刊登日期:2013/9/5
  • 字級

現今封裝結構的趨勢為輕薄短小,不僅是在體積上大幅的縮小,相對地在電性上也有改善的空間,而在功率模組上也走向Power SiP(System in Package)的封裝結構。本文即針對內埋式的功率模組進行結構設計與電性模擬,以600V/20A的IGBT與Diode為規格,內埋入兩顆IGBT與兩顆Diode功率元件,形成一個半橋式的功率模組,將可運用於PV Inverter最後輸出的功率轉換部分,以降低原始電路設計的寄生電阻與電感,更增進系統的效率。


分享
為此篇文章評分

相關廠商