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    作者
    刊登日期
  • 產總研與EDP開發大面積鑽石/矽複合晶圓,推動鑽石半導體量產

    工研院材化所
    2026/03/13
  • Canon全球首創NIL平坦化技術,300 mm晶圓凹凸控制在5 nm以下

    工研院材化所
    2026/03/11
  • 鑽石半導體功率元件達到耐壓4,266 V與120 GHz放大特性,支援6G與衛星通訊需求

    工研院材化所
    2026/02/13
  • 富士經濟:2035年SiC晶圓全球市場規模達6,000億日圓

    工研院材化所
    2026/02/11
  • 「宇宙生活圈」商機,日本材料大廠加速佈局次世代太空材料

    工研院材化所
    2026/02/06
  • FLOSFIA完成氧化鎵元件用4吋晶圓量產實證

    工研院材化所
    2026/02/05
  • 低成本氧化鎵晶圓新製程,成本降至10分之1

    工研院材化所
    2026/01/28
  • 日本電信四巨頭在衛星直接通訊領域交鋒,D2C或將成為未來常態

    工研院材化所
    材網編輯室
    2026/01/26
  • KIOXIA開發3D DRAM氧化物半導體電晶體技術,實現8層堆疊

    工研院材化所
    2026/01/22
  • 太陽控股突破微細RDL製程,12吋晶圓上達成CD 1.6 µm三層結構

    工研院材化所
    2026/01/14
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