日本佐賀大學發表了一項研究成果，成功地以次世代「鑽石半導體」製作出功率元件，並驗證其可放大最高120 GHz的電波訊號。此性能可支援6G基地台、通訊衛星等需要高頻與高功率的技術領域，屬於鑽石半導體中全球最高等級的操作頻率。
研究團隊此次開發的是應用於電力控制的「功率半導體」元件。電波頻率中，3 GHz~30 GHz為手機等使用的「微波」頻段，而30 GHz~300 GHz為「毫米波」，主要用於大容量通訊與雷達技術。佐賀大學製作的元件可放大至120 GHz，故可同時涵蓋微波與毫米波兩大頻段。
此次開發的鑽石半導體元件特徵包括了利用高純度原料製作鑽石元件，實現 4,266 V的斷態崩潰電壓；以電子束微影製作出T型閘極電極，最小線寬達157 nm；佐賀大學製作了約100個元件進行驗證，幾乎所有樣品都成功呈現120 GHz的放大特性，今後可望適用於Beyond 5G/6G行動基地台以及衛星通訊的功率發射元件。
研究團隊自2026年1月起開始向企業提供鑽石半導體樣品銷售，並已預定供應多家大型電機企業。今後亦將成立新公司「Diamond Semiconductor」，以推動技術商用化。