日本Sumimoto Bakelite開發了一項適用於次世代碳化矽(SiC)功率模組的固態環氧樹脂封裝材料「EME-G785系列」，並正式開始量產。此材料實現業界首創230℃的高玻璃轉移溫度(Tg)，可滿足高溫操作環境下對功率半導體封裝材料的嚴苛需求。雖然SiC半導體可在超過200℃的高溫環境下運作，但使用於保護半導體元件的封裝材料仍面臨耐熱性能不足的挑戰，成為次世代功率模組發展的重要課題。
一般而言，提高環氧樹脂的玻璃轉移溫度通常會造成材料彈性模數增加，使其在熱循環過程中容易產生內部應力，進而導致晶片與基板剝離或樹脂本身產生裂紋。因此過去雖可實現高Tg材料，但實際導入產品應用仍相當困難。為解決此問題，Sumimoto Bakelite採用最新低應力化技術，透過調整樹脂主鏈結構並將架橋密度予以最佳化，在提升耐熱性的同時抑制彈性模數增加，成功開發出EME-G785系列。新材料的玻璃轉移溫度達230℃，為環氧樹脂封裝材料中的最高水準，且可在高溫操作條件下維持優異的物理特性，確保SiC功率模組長期運作所需的絕緣可靠性。
EME-G785系列具有優異耐熱性，適用於燒結材料(Sintering Material)以及與散熱器連接所使用的焊料接合製程，有助於提升功率模組的散熱性能。透過改善散熱效率，可進一步提高功率密度，使功率模組朝向小型化與高輸出化發展，滿足電動車、高功率電子設備及能源系統對高效能電力控制元件的需求。