本文介紹積體電路(Integrated Circuits)的發展歷程中，擴散阻障層材料的選擇與運用有哪些相對應的演變與研究。曾廣泛應用於鋁製程的擴散阻障層材料氮化鈦(TiN)，在現今銅製程中已無法達到適當阻障性質之要求。因此於現階段有鉭(Ta)及其氮化物(TaNx )等材料的研究正持續地提出，而且已應用於實際IC 的產品設計中。然而，隨著銅製程引進的相關製程技術，使未來在選擇擴散阻障層材料的考量上，將不僅止於材料本身的特性，更需注意該阻障材料是否具備於銅製程中之不同製作技術的可行性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 銅晶片構裝的挑戰—Cu & Low-K Dielectric 半導體用高介電圖案化材料 影響未來的面板級封裝技術—TGV金屬化製程 玻璃基板上TGV的金屬化製程 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 熱門閱讀 含氟廢水回收再利用模式 玻璃基板上TGV的金屬化製程 加氫站技術與產業發展趨勢 全球第一個碳-14鑽石電池問世，可望供電數千年 突破鋰電池安全瓶頸：鋰枝晶之形成機制與解決方案 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司