本文介紹當半導體積體線路達到180nm 以下製程時所面臨的應用問題，並以現在最常使用的幾種矽化物(TiSi2 、CoSi2 、NiSi 、WSi2 )來做製程與運用上的比較。並簡介目前製作磊晶矽化物的設備製程和所遭遇的限制。雖然在1996 年時 Tung 發表了氧化調節磊晶法(OME)製作磊晶二矽化鈷(CoSi2 )，不僅解決了線寬與穩定性的問題，更大大減少目前製作磊晶矽化物昂貴的設備限制，但是OME 製程尚未被完全明瞭，這也將是我們往後努力的目標。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 FLOSFIA完成氧化鎵元件用4吋晶圓量產實證 東芝開發出可大幅提高功率密度之「樹脂絕緣型SiC功率半導體模組」 探索未來科技的基石—化合物半導體引領新世代電子革命 碳化矽晶體成長技術發展 氮化鋁長晶技術發展與產品應用 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 正越企業有限公司 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司