本文介紹當半導體積體線路達到180nm 以下製程時所面臨的應用問題，並以現在最常使用的幾種矽化物(TiSi2 、CoSi2 、NiSi 、WSi2 )來做製程與運用上的比較。並簡介目前製作磊晶矽化物的設備製程和所遭遇的限制。雖然在1996 年時 Tung 發表了氧化調節磊晶法(OME)製作磊晶二矽化鈷(CoSi2 )，不僅解決了線寬與穩定性的問題，更大大減少目前製作磊晶矽化物昂貴的設備限制，但是OME 製程尚未被完全明瞭，這也將是我們往後努力的目標。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 東芝開發出可大幅提高功率密度之「樹脂絕緣型SiC功率半導體模組」 探索未來科技的基石—化合物半導體引領新世代電子革命 碳化矽晶體成長技術發展 氮化鋁長晶技術發展與產品應用 化合物半導體材料晶圓製備技術 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025：半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... 原子層沉積之應用與未來發展趨勢 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 「三高一快」的高能量快速充電鋰電池技術 金屬陽極氧化處理技術與半導體設備零件應用 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司