本文介紹當半導體積體線路達到180nm 以下製程時所面臨的應用問題，並以現在最常使用的幾種矽化物(TiSi2 、CoSi2 、NiSi 、WSi2 )來做製程與運用上的比較。並簡介目前製作磊晶矽化物的設備製程和所遭遇的限制。雖然在1996 年時 Tung 發表了氧化調節磊晶法(OME)製作磊晶二矽化鈷(CoSi2 )，不僅解決了線寬與穩定性的問題，更大大減少目前製作磊晶矽化物昂貴的設備限制，但是OME 製程尚未被完全明瞭，這也將是我們往後努力的目標。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(下) 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(上) 利用垂直式布里茲曼長晶法製作出6吋β型氧化鎵單晶 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(下) 工業材料雜誌三月號推出「電動車電池與材料技術」及「功率模組半導... 熱門閱讀 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 固態鋰離子電池技術 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司