日本DAICEL與大阪大學開發了一項可同時實現碳化矽(SiC)功率半導體的可靠性與低成本化之接合材料，係由銀與矽(Silicon)組成的複合材料，利用於SiC功率半導體與陶瓷基板的接合，強度保持率大約是既有僅由銀製成之材料的2倍。
新開發的複合材料可在銀與矽之接合界面處的矽表面形成一層氧化膜，降低熱膨脹係數，進而抑制界面的龜裂生成或結構的破壞。在-50～250℃的溫度下進行1,000次熱衝擊測試後，強度保持率約為既有僅由銀製成之材料的2倍。此外，熱膨脹係數可以透過調節矽的添加量進行控制。新材料可望促進SiC功率半導體的長壽命化、提高封裝結構的可靠性，矽的添加則可降低接合材料的成本。