Sumitomo Bakelite開發了一款可改善碳化矽(SiC)功率半導體散熱性之燒結銀膠，並將於12月開始量產。新製品具有相當於既有功率半導體封裝用鉛焊料2倍之高熱傳導率的特徵，將可望取代鉛並帶來顯著的環境效益。
新開發的銀膠具有150 W/m·K的高熱傳導性。在高溫下使用的SiC半導體仍有散熱的課題待解決，因此Sumitomo Bakelite的新材料將可望發揮重要作用，且有助於實現小型化或減少零組件。
Sumitomo Bakelite將銀與具有獨特高燒結促進性能的樹脂結合，製作出接合溫度200℃的銀膠，相較於既有全銀漿料低了50℃，藉此將可降低線性膨脹差應力，且可改善不同高度之多個構件的接合性。
此外，即使是比奈米銀低價格的微米銀，亦可實現高燒結性，同時能確保高可靠性以及冷熱溫度循環的耐久性。另可適用於無加壓製程，進而減少對接合零組件的損壞或縮短批次處理的時間。