日本住友Bakelite開發出世界上第一款適用於3DS-TSV記憶體(矽導通孔連接的3D堆疊DRAM)之壓縮成型用封裝樹脂(顆粒材料)，可望取代既有液狀樹脂應用於封裝材料用途，提高生產效率與封裝品質。目前已有主要記憶體製造商計劃於2024年內正式採用。
隨著半導體元件持續趨於小型化，3DS-TSV (Through-Silicon Via)做為實現記憶體半導體3D堆疊的技術，相關採用也越來越多。TSV是在矽晶圓上以穿透的微細孔洞貫通多層，透過TSV的使用將可堆疊出多層，進而提高元件積體集成的程度或是在更小的空間實現機能整合。此外，由於可透過TSV進行供電，將能有助於促進功耗的高效率化，進而實現元件的省電力化。
一般為了填充晶片堆疊之間的狹窄間隙，採用了低黏度且可摻入小粒徑填料的液狀樹脂，但液狀樹脂往往具有較大的封裝翹曲，因而帶來了生產性、成本等問題。為了實現狹窄間隙的填充性與改善封裝翹曲，住友Bakelite開發了5 μm切削填料的顆粒材料並予以製品化。由於5 μm的微細尺寸，故可填充於狹小空間，且因使用了低彈性樹脂，將能減少晶片角上的應力。此外，透過控制熱膨脹係數(CTE)，進而減少了翹曲形成。目前使用新材料的3DS-TSV已預定於2024年內開始量產，今後住友Bakelite將進一步投入更加微細之3 μm切割顆粒材料的開發。