日本LINTEC開發了一項適用於半導體製造後段製程，可保護連接晶片與基板之凸塊(突起電極)的薄膜。由於能抑制連接過程中因熱、應力引起的凸塊(Bump)龜裂，可望藉此提高半導體晶片的耐久性與可靠性。
支援半導體封裝基板小型化、輕量化、高密度封裝的晶圓級晶片封裝(WLCSP)是在晶圓狀態下進行後段製程，然而結構上仍有因熱變形或應力等負荷形成凸塊龜裂的風險。
LINTEC開發的保護膜採用了樹脂黏度依溫度而變化的設計，透過在加熱的同時將其貼附於形成凸塊的電路表面，藉此空氣將不會滯留且薄膜可依隨凹凸不規則部位而保護凸塊。經測試確認，凸塊對於溫度變化的耐久性提高了2.5～3倍。
在晶圓背磨製程(Wafer Backgrinding)之後移除薄膜表面層時，僅保留保護凸塊的樹脂，故可使用背磨膠帶裝置進行薄膜的貼附或剝離。另可依據凸塊的形狀或尺寸進行薄膜客製化。