田中貴金屬開發出適用於高密度封裝之半導體接合技術

 

刊登日期:2024/3/19
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日本田中貴金屬工業利用旗下金-金接合用低溫燒成膏材「AuRoFUSE」,建立了一項適用於高密度封裝之金粒子接合技術。「AuRoFUSE」僅由次微米(Submicron)大小的金粒子與溶劑組成,除了具有低電阻、高熱傳導率等特性之外,同時也是一項可以在低溫下實現金屬接合的材料。新技術透過使用「AuRoFUSE preform」(乾燥體),以20 µm尺寸實現了間隙4 µm的窄間距封裝,並具有承受實際使用的強度與化學穩定性,以及封裝後的高可靠性。

此次確立的技術係於接合前讓膏材乾燥,消除其流動性,進而可以抑制橫向擴散,實現高密度安裝。再者,由於具有多孔質結構,因此即使是在電極之間存在高度差、基板翹曲或厚度有所差異等容易變形的狀況亦可予以接合。


資料來源: https://tanaka-preciousmetals.com/jp/products/detail/aurofuse-preforms/
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