日本EDP公司開發了一項生長高硼濃度鑽石之技術，並已確認新開發的高硼濃度鑽石具有適用於垂直結構功率元件開發之低電阻，且製作出2種由該鑽石製成的低電阻基板。
EDP開發的高硼濃度(2x1020～4x1020/cm3)鑽石製品為自撐持(Self Supporting)結晶與高硼濃度磊晶成長基板2種類型。現已預計利用做為元件開發的基礎材料，今後將進一步擴大硼濃度範圍。自撐持結晶為電阻值20 mΩcm以下、厚度0.2 mm、形狀7×7 mm以下之雙面研磨的製品。自撐持結晶係為單結晶，可以在其上生長單晶鑽石。透過控制生長之鑽石的特性，將可製造所需的元件構造。此外，藉由在背面形成歐姆電極，可促使電流從形成的元件內側流通。
高硼濃度磊晶成長基板的厚度為0.03 (需要研磨時為0.05)～0.2 mm，形狀為單晶時8×8 mm以下、鑲嵌結晶(Mosaic Crystal)則是18×18 mm以下。該公司一般基板厚度為0.3～0.5 mm。現有的硼摻雜鑽石基板的電阻值為5～30 Ωcm，而新製品高硼濃度摻雜鑽石基板的電阻值為20 mΩcm以下。
由於高硼濃度磊晶成長基板採用EDP的一般基板進行製作，因此可以因應單結晶或鑲嵌結晶的製作需求。最大形狀為18x18 mm，厚度可在0.03～0.2 mm的寬範圍內選擇。製品出貨為硼摻雜層生長的狀態，並可因應表面研磨。唯高硼濃度磊晶層的厚度必須為0.05 mm以上。另在表面粗糙度方面，一般研磨為Ra<5 nm，精密研磨則是Ra<2 nm。