日本早稻田大學衍生新創公司Power Diamond Systems成功開發出耐壓550 V、汲極電流0.8 A的鑽石MOSFET，並首次實現200 V、1 A的開關動作，為鑽石功率半導體邁向實用化的重要里程碑。
鑽石半導體具有寬能隙(Wide Bandgap)與高絕緣破壞電場等優異物理特性，被視為次世代功率元件的重要材料，但在實際應用上仍面臨同時提升高耐壓與降低導通電阻(On-resistance)的技術課題。尤其在高耐壓設計方面，閘極邊緣容易產生電場集中現象，限制了汲極與源極之間的耐壓能力。此外，在提升電流容量方面，過去往往需要將多個小型元件並聯，才能達到較大的電流輸出。
為解決上述問題，Power Diamond Systems基於本身既有的鑽石MOSFET核心技術並導入「場板(Field Plate)」結構設計，藉此可有效分散並抑制閘極端部的電場集中現象，進而提升元件的耐壓性能。
此外，研究團隊也推動元件的大面積化設計，促使單一元件可承載更大的電流，無須再透過多個小型元件並聯即可實現高電流驅動。此項研究成果可望推動鑽石功率半導體在高效率電力電子系統中的實用化發展。