量子點陣列結構薄膜的新電子能帶及其電子光電特性

 

刊登日期:2005/7/5
  • 字級

本文提出一個弱耦合量子點陣列(Weak Coupling Quantum-dot Array)結構的系統模型,在此材料系統內,量子點與量子點被絕緣體能障(Energy Barrier)或半導體能障隔開,能障的寬度足夠薄而容許量子點之間以量子穿隧效應(Tunneling Effect)進行電子傳輸(Electron Transport),量子點的尺寸大小決定量子點內新電子能階(Energy Level)的狀態,整個量子點陣列則藉由量子穿隧效應,使得量子點間的電子波函數(Wave Function)耦合在一起成為新的電子能帶(Energy Band)。在實驗研究結果顯示:泝調控系統結構內半導體或絕緣體能障的高低,可以成功製造出不隨溫度變化的電阻薄膜材料、對溫度非常敏感的熱敏電阻薄膜材料、對電壓非常敏感的壓敏電阻薄膜材料。沴變化系統結構內量子點尺寸大小、調控量子點內新能階的高低,成功展示出對可見光敏感的光敏電阻薄膜、對紅外線照射會產生光伏效應的薄膜、吸收紅外線或遠紅外線的薄膜材料,以及電傳輸可伴隨發光現象的薄膜。藉由調控量子點尺寸大小以及能障厚薄高低,可以使量子點陣列結構的薄膜擁有不同的電子能帶,而呈現出不同的電子、光電特性,可廣泛應用在電子光電產業上。
分享