近幾年對於半導體奈米晶粒性質和應用的研究相當多，在光學性質上，其特殊的地方在於因為粒子大小的不同而產生不同波長的光，以CdSe為例，放光範圍從綠光到紅光，且顏色純度很高，以奈米晶粒為基礎的發射體可被應用到各種領域，如發光二極體、雷射、生醫技術等，因此，在研究奈米晶粒的合成法時，應注重發光性質的控制。本篇文章先從量子力學理論開始，因為粒子尺寸到達奈米尺度時，會呈現被量子力學規範之光電性質，所以必須了解量子力學基本原理，接著，介紹半導體奈米晶粒的特性，尤其針對II-VI族部分。最後，從紫外光—可見光吸收光譜圖和光激發光光譜圖、X-ray繞射圖譜、穿透式電子顯微鏡照片來了解II-VI族奈米晶粒的光學性質及其結構。