大阪大學與東京都市大學的研發團隊在次世代高速半導體通道材料--矽鍺（SiGe）結晶上，製作刻意扭曲的自旋電子元件構造，人為改變SiGe傳導訊號的電子構造，大幅延長電子自旋壽命。
這次該研究團隊採用的是與過往截然不同的獨家手法，使用名為強磁性何士勒合金（Heusler alloy）的高性能自旋電子材料，施以高品質的製作技術及原子層雜質添加技術於Ge及SiGe上，進而實證了電子元件構造中的室溫自旋傳導。
這次是全球第一例以人為方式，製作出具有結晶扭曲之SiGe通道的自旋元件構造，成功在低溫下讓自旋訊號增大100倍以上。這項成果除了SiGe之外，亦可望應用在IV族半導體通道電子元件材料，促使自旋壽命延長，可謂實現半導體自旋電子元件技術的關鍵技術。