SiC功率半導體在電動汽車、鐵路車輛、產業機器設備上日漸普及，而為了發揮高輸出性能，運作溫度須達250℃以上，因此會裝配鋁散熱板。具體來說，SiC晶片夾在銅層與陶瓷層（氧化鋁、氮化矽等）間，再與鋁散熱板接合。接合材料通常採用銀膏、高溫銲料等，然而銀膏中由於混入樹脂容易燒焦，有耐用度問題，高溫銲料則是耐熱性尚不足。
日本橫濱大學衍生新創企業Kankyo Resilience開發出的銀奈米粒子「True NANOSilver」，是採用非水系有機熱分解法---配體交換（Ligand Change）法製造，粒徑5~15nm，保護基採用低溫可分解的酒精。粒徑5nm來說，原子的40%會在表面，因此反應性高。保護基與核心部分的體積比可自行控制，若把核心部分的比例提升至80%以上的話，除了可降低接合部位的空隙，還可在較低的壓力下進行燒成，形成較細密的結構。
該銀奈米粒子對於SiC、銅、陶瓷、鋁等材料，皆能發揮優異的接合性能。接合溫度為較低的230℃，不會影響周邊零件。融化之後會變成純銀，發揮高度耐熱性及優秀的熱傳導性。此外，原本使用銅做接合的馬達、電線等領域，逐漸有廠商改用較便宜的鋁材取代，該公司認為該領域也有希望置換成銀奈米粒子。經過實驗證實，銀奈米粒子也成功應用在鋁/鋁、鋁/銅的接合上，Kankyo Resilience也將「True NANOSilver」做為有助於低成本、輕量化之技術展開推廣。