碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來，由於SiC 磊晶與基板品質的提升，降低了研究SiC 功率元件的門檻，許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起，述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況，最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 液冷微泵之應用與簡介 大陸電子工業發展動向 FeRAM 之現況與發展 電子書發展的近況 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 正越企業有限公司 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司