碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來，由於SiC 磊晶與基板品質的提升，降低了研究SiC 功率元件的門檻，許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起，述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況，最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 液冷微泵之應用與簡介 大陸電子工業發展動向 FeRAM 之現況與發展 電子書發展的近況 熱門閱讀 5G毫米波通訊市場趨勢 先進半導體液態封裝材料技術與發展 鈣鈦礦太陽電池劣化機制及穩定性提升介紹 PLA廢棄物的循環再利用性 2,5-呋喃二甲酸之製程技術及應用 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司