碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來，由於SiC 磊晶與基板品質的提升，降低了研究SiC 功率元件的門檻，許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起，述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況，最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高導熱金屬基熱界面材料之技術發展 AI晶片構裝用熱介面材料技術發展 突破散熱極限：新一代 4kW DLC直接液冷散熱解決方案 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 液冷微泵之應用與簡介 熱門閱讀 功率半導體元件與散熱技術 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 功率半導體之高導熱陶瓷基板材料技術與應用發展 廢氫氟酸轉製冰晶石有價資源化技術 AI世代之次世代功率半導體產業發展 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司