碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來，由於SiC 磊晶與基板品質的提升，降低了研究SiC 功率元件的門檻，許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起，述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況，最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 液冷微泵之應用與簡介 大陸電子工業發展動向 FeRAM 之現況與發展 電子書發展的近況 熱門閱讀 從分子設計到原子級控制，半導體前段製程材料的挑戰與機會 先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、CoWoS與FOPLP為例 「三高一快」的高能量快速充電鋰電池技術 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 由VLSI 2025 窺看半導體與AI運算技術的結合(上) 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司