碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來,由於SiC 磊晶與基板品質的提升,降低了研究SiC 功率元件的門檻,許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起,述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況,最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶-禎朗企業有限公司 液冷微泵之應用與簡介 大陸電子工業發展動向 FeRAM 之現況與發展 電子書發展的近況 熱門閱讀 半導體用抗反射層材料 半導體用光酸材料技術 次世代EUV帶來半導體光阻開發挑戰,日化學企業加速展開新材料佈局 「10分鐘內」超急速充電技術進展有成,全固態電池最受青睞 半導體用高解析光阻劑 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司