碳化矽材料於功率元件之應用

刊登日期:2002/11/5
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碳化矽(Silicon Carbide; SiC)材料被視為未來將取代Silicon 材料在高功率或高溫環境中應用的材料。近十多年來,由於SiC 磊晶與基板品質的提升,降低了研究SiC 功率元件的門檻,許多功率元件如Schottky Rectifiers 、PiN Diodes 、BJTs 、MOSFETs 、IGBTs 等原型陸續出現在期刊或會議論文中。本文將從SiC 材料的固態結構論起,述及SiC 基板製作技術、磊晶成長技術、製程模組技術及SiC 功率元件發展現況,最後展望未來SiC 電力電子的發展趨勢。
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