強介電記憶體（FeRAM 或稱鐵電記憶體）具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵，為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前，其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡，不久之未來，會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高導熱金屬基熱界面材料之技術發展 AI晶片構裝用熱介面材料技術發展 突破散熱極限：新一代 4kW DLC直接液冷散熱解決方案 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 可應用於太陽電池或LED的氮化鎵系半導體分離技術 熱門閱讀 從2026日本奈米展看材料發展 功率半導體元件與散熱技術 高純鎵金屬循環回收技術—從二次資源提取純化到產業應用 民生用廢塑膠容器智慧辨識與分選技術之發展與實場應用 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網