強介電記憶體(FeRAM 或稱鐵電記憶體)具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵,為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前,其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡,不久之未來,會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶-禎朗企業有限公司 可應用於太陽電池或LED的氮化鎵系半導體分離技術 液冷微泵之應用與簡介 2000年全球將發行35億張IC卡 智慧卡簡介(上) 熱門閱讀 Micro LED量產技術、材料與市場展望 量子點墨水材料技術 廢氫氟酸資源高值化技術(上) 從ISPSD 2024看功率元件領域發展趨勢(上) 下世代產業所需高功能性新材料—電動車用高分子材料 相關廠商 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網