FeRAM 之現況與發展

刊登日期:2002/11/5
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強介電記憶體(FeRAM 或稱鐵電記憶體)具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵,為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前,其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡,不久之未來,會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。
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