強介電記憶體（FeRAM 或稱鐵電記憶體）具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵，為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前，其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡，不久之未來，會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 可應用於太陽電池或LED的氮化鎵系半導體分離技術 液冷微泵之應用與簡介 2000年全球將發行35億張IC卡 智慧卡簡介（上） 熱門閱讀 玻璃基板上TGV的金屬化製程 玻璃成孔技術發展現況 半導體用抗反射層材料 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 半導體用光酸材料技術 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網