強介電記憶體（FeRAM 或稱鐵電記憶體）具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵，為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前，其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡，不久之未來，會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 可應用於太陽電池或LED的氮化鎵系半導體分離技術 液冷微泵之應用與簡介 2000年全球將發行35億張IC卡 智慧卡簡介（上） 熱門閱讀 5G用絕緣增層材料發展趨勢 聚醯亞胺(PI)樹脂的發展 奈米孔洞材料於生物抗腐蝕之應用 金屬表面前處理化學品市場與技術發展現況(上) 5G/B5G關鍵被動元件—寬頻濾波器技術 相關廠商 昂筠國際股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 名揚翻譯有限公司 東海青科技股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 誠企企業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司