強介電記憶體（FeRAM 或稱鐵電記憶體）具有記憶體中相當突出之非揮發、高速、低電壓、與低能量寫入的特徵，為未來可攜式電子時代之重要核心組件。目前，其密度是按照摩耳定律持續進展。FeRAM 首先應用在非接觸式智慧卡，不久之未來，會是無線網路電話與個人數位助理應用之能力賦予的驅動者(Enabling Driver)。本文簡要說明其特性、材料、設計架構方面之現況與進展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 提高生產良率的靜電放電效應ESD捆包帶－禎朗企業有限公司 可應用於太陽電池或LED的氮化鎵系半導體分離技術 液冷微泵之應用與簡介 2000年全球將發行35億張IC卡 智慧卡簡介（上） 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 志宸科技有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網