日本NTT公司日前公開表示，已經成功研發出如何簡便地分離氮化鎵（GaN）系半導體薄膜元件的技術。氮化鎵系半導體常用於無線電通訊等高輸出電子元件、訊號機、照明等，用途非常廣泛。氮化鎵系半導體係在厚度0.5mm左右的成長基板上，疊上一層一層的薄膜元件而成。若是利用這次的新技術，可製出成本低廉、且厚度僅2μm(0.002mm)的氮化鎵系半導體薄膜元件。由於單獨吸收紫外線的效率極高，此技術可望應用於太陽電池的研發、200μm超薄LED等方面。
NTT物性科學研究基礎研究所開發出的是一種名為「MeTRe法（Mechanical Transfer using a Release layer）」的製法，係全球首度從基板上剝離薄膜元件的技術。若將這種透明的薄膜元件貼在玻璃窗上，便可單獨阻隔太陽光中的紫外線，加以運用的話，便可能開發出以紫外線發電的太陽電池。該研究已發表於英國科學雜誌「Nature」的4月12號刊。
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