陰極發光(Cathodoluminescence ，簡稱CL)及電子背向散射繞射(Electron Back-Scattered Diffraction，簡稱EBSD)為兩種附加於掃描式電子顯微鏡(SEM)上的分析技術，配合高解析度的場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)之開發可更充份發揮這兩種分析技術的功能。在本文中，將針對CL 及EBSD 兩種分析技術的原理及主要應用作介紹。 Download檔案下載 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 場發射掃描式電子顯微鏡分析技術應用簡介 奈米檢測能力之提升－先進檢測技術之建構 奈米科技區域服務網絡──檢測技術建置 場發射穿透式電子顯微鏡簡介 2000 光電產業回顧與展望 熱門閱讀 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 從低碳循環到高值化創新應用與實踐–高分子材料產業的永續轉型推手 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 正越企業有限公司 山衛科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司