利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體,與現有傳統的CMOS元件相比,具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性,其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外,其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準,這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 單電子電晶體 奈米電子元件 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(下) 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(上) 在室溫下可實現量子輸送之2.8nm奈米碳管電晶體 熱門閱讀 高解析乾膜光阻材料技術 以氧化鐵材料做為正、負極之創新鈉離子電池 浸沒式冷卻液技術及特性檢測平台 鈣鈦礦太電熱塑封裝材發展趨勢 Chiplet異質整合與先進構裝材料發展趨勢 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司