利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體，與現有傳統的CMOS元件相比，具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性，其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外，其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準，這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 單電子電晶體 奈米電子元件 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(下) 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(上) 在室溫下可實現量子輸送之2.8nm奈米碳管電晶體 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司