活化反應磁控濺射金屬靶材曳出之原子與活性氣體反應沈積介質膜如SiO2 、Al2 O3 及TiN 等，不但膜性優於傳統射頻濺射介質靶直接沈積介質膜，而且可高功率快速沈積，加上矽、鋁及鈦等金屬靶材價廉及空間與配備的縮減，在量產系統上節省可觀的成本。唯沈積過程，靶、基材及陽極因覆著介質層累積電荷，造成電漿不穩及局部電弧放電的現象，隨著脈衝抑弧技術及雙靶組態精進發展，已達非常成熟的地步。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高分子材料電漿表面處理概觀 高性能鍍膜雷射脈衝電弧鍍膜技術 從Finetech Japan 2014看顯示器、觸控面板、薄膜發展趨勢 精密塗佈技術─建立新時代塑膠薄膜材料發展的關鍵技術 薄膜整合被動元件發展概況 熱門閱讀 5G毫米波通訊市場趨勢 先進半導體液態封裝材料技術與發展 鈣鈦礦太陽電池劣化機制及穩定性提升介紹 PLA廢棄物的循環再利用性 2,5-呋喃二甲酸之製程技術及應用 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 昂筠國際股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司