活化反應磁控濺射金屬靶材曳出之原子與活性氣體反應沈積介質膜如SiO2 、Al2 O3 及TiN 等，不但膜性優於傳統射頻濺射介質靶直接沈積介質膜，而且可高功率快速沈積，加上矽、鋁及鈦等金屬靶材價廉及空間與配備的縮減，在量產系統上節省可觀的成本。唯沈積過程，靶、基材及陽極因覆著介質層累積電荷，造成電漿不穩及局部電弧放電的現象，隨著脈衝抑弧技術及雙靶組態精進發展，已達非常成熟的地步。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 高分子材料電漿表面處理概觀 高性能鍍膜雷射脈衝電弧鍍膜技術 從Finetech Japan 2014看顯示器、觸控面板、薄膜發展趨勢 精密塗佈技術─建立新時代塑膠薄膜材料發展的關鍵技術 薄膜整合被動元件發展概況 熱門閱讀 Micro LED量產技術、材料與市場展望 AI系統節能減碳的推手—GaN功率元件(上) 數據驅動熱塑性彈性體數位設計 量子點墨水材料技術 從ALTA 2024看稀土及有價金屬資源萃取、應用及製程循環成果現況 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司