凸塊(Bumping)技術在1995 年代引進台灣，以濺鍍式凸塊(Sputtered Bump)技術而言，相對於打線鍵結(Wire Bonding)的接點連結方式，其製程特色採用薄膜、黃光與蝕刻以形成層狀結構的球下金屬層(Under Bump Metallurgy; UBM)、與後續的錫合金凸塊形成製程（錫膏）或植球（預型化錫球合金凸塊），而凸塊晶片則以搭配覆晶(Flip Chip)製程為主，本文將敘述微凸塊技術的多樣化結構與發展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 AI晶片構裝用熱介面材料技術發展 突破散熱極限：新一代 4kW DLC直接液冷散熱解決方案 AI高功率晶片之先進散熱材料與熱管理技術發展 DIC推出新型BMI樹脂產品，拓展低介電材料市場 上野製藥開發出熱傳導率提高6倍之LCP 熱門閱讀 從2026日本奈米展看材料發展 功率半導體元件與散熱技術 高純鎵金屬循環回收技術—從二次資源提取純化到產業應用 民生用廢塑膠容器智慧辨識與分選技術之發展與實場應用 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 正越企業有限公司 山衛科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司