凸塊(Bumping)技術在1995 年代引進台灣,以濺鍍式凸塊(Sputtered Bump)技術而言,相對於打線鍵結(Wire Bonding)的接點連結方式,其製程特色採用薄膜、黃光與蝕刻以形成層狀結構的球下金屬層(Under Bump Metallurgy; UBM)、與後續的錫合金凸塊形成製程(錫膏)或植球(預型化錫球合金凸塊),而凸塊晶片則以搭配覆晶(Flip Chip)製程為主,本文將敘述微凸塊技術的多樣化結構與發展。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 上野製藥開發出熱傳導率提高6倍之LCP 矢野經濟研究所:2026年全球半導體封裝基板材料市場達4,775億日圓 旭化成開發出新型感光性乾膜,適用於先進半導體封裝且可展現極高解析... 從POWTEX 2024看粉體技術發展趨勢 半導體用高介電圖案化材料 熱門閱讀 半導體用抗反射層材料 半導體用光酸材料技術 次世代EUV帶來半導體光阻開發挑戰,日化學企業加速展開新材料佈局 「10分鐘內」超急速充電技術進展有成,全固態電池最受青睞 半導體用高解析光阻劑 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 正越企業有限公司 山衛科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司