3D IC 堆疊技術是下世代半導體製程的重點技術之一。因應多層IC 堆疊的高頻去雜訊以及穩壓需求,需要晶片內埋高密度去耦合電容來達成。本文針對矽基材內埋高密度去耦合電容的製程技術與元件特性做一介紹。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 晶片型導電高分子固態電容器的發展現況 固態電解電容器陰極材料之近期發展 固態電容器—閃耀的明日之星 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊,集結14項領域技術共同展現材料... 被動元件低碳永續進行式:從材料選擇到製程創新 熱門閱讀 2026 Battery Japan-全球電池市場及技術分析 從2026日本奈米展看材料發展 東北大學解明Janus 2D材料合成機制,可望加速次世代半導體開發 功率半導體元件與散熱技術 Elephantech開發超高深寬比微導通孔技術,佈局AI伺服器基板市場 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 喬越實業股份有限公司 高柏科技股份有限公司 正越企業有限公司 廣融貿易有限公司 山衛科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 桂鼎科技股份有限公司