3D IC 堆疊技術是下世代半導體製程的重點技術之一。因應多層IC 堆疊的高頻去雜訊以及穩壓需求,需要晶片內埋高密度去耦合電容來達成。本文針對矽基材內埋高密度去耦合電容的製程技術與元件特性做一介紹。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 晶片型導電高分子固態電容器的發展現況 固態電解電容器陰極材料之近期發展 固態電容器—閃耀的明日之星 導電高分子混成電解電容器開發近況 從Techno-Frontier 2018看被動元件的發展現況(下) 熱門閱讀 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(上) 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 聚焦二氧化碳再利用,推動脫化石資源依賴 相關廠商 Hach台灣辦事處 金屬3D列印服務平台 喬越實業股份有限公司 廣融貿易有限公司 友德國際股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 工研院材化所 材料世界網 正越企業有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 誠企企業股份有限公司