綜觀固態電容器之技術發展，已由早先著重於導電高分子之成膜技術及電容器電性改善之產品技術開發，逐步邁向電極材料之改革。在電容器小型、高容量及低阻抗化之需求下，負極電極材料技術也邁入新紀元，摒除傳統利用電化學蝕刻技術使鋁箔擁有大面積之思維，改以氣相沉積方式在鋁箔上形成具有高導電度之金屬或陶磁薄膜，以形成複合陰極鋁箔，藉由負極電容量無限大之概念，開發高容量、低阻抗之固態電容器。針對此負極材料之技術發展本專題有專文作深入介紹。
另外，現行之Build-in Embedded 技術僅將高頻訊號處理之小容量電容器整合入3D-IC堆疊技術中，而未來結合封裝及散熱技術，將Power 端電容器整合入現行複合基板，開發3D-IC 之去耦合電容器技術，以解決3D-IC 堆疊之穩壓、高頻干擾等關鍵問題將是重要之技術發展方向。本專題中的“三維晶片堆疊技術之高密度去耦合電容”有相關技術介紹。
被動元件已朝綠色、小型、多功、寬頻化等整合模組技術發展，由於國際被動元件大廠產品較為多元化，大多同時具備電感、電容及電阻等產品，因此整合模組乃成時勢所趨。未來相關業者需更積極展開異業整合，朝多功、積體及寬頻化之整合模組技術發展，才能維持國際競爭力。透過本技術專題，希望能號召業界朝整合被動元件技術邁進，共同策略聯盟或合作開發被動元件模組化整合技術，以開啟被動元件之另一扇門。