日本JX金屬開發了一項適用於次世代半導體封裝之玻璃通孔(TGV)用銅漿料。此項技術可將銅漿料直接填充至導通孔(Via)內，與既有電解鍍銅相比，製程時間可縮短至約5分之1。此外，在化學機械研磨(CMP)製程中，可大幅降低對基板的研磨負荷，因而有助於降低玻璃基板產生裂紋等風險。
目前銅電鍍技術被視為TGV實用化的主流方案之一，但此項技術仍存有製程時間冗長、導通孔內易產生裂縫(Crack)等課題。相較之下，新開發的TGV用銅漿料可有效解決上述問題。TGV用銅漿料為JX金屬與集團旗下的TATSUTA Electric Wire & Cable共同開發。目前TATSUTA Electric Wire & Cable的銅漿料已在印刷電路板孔填充用途具有量產實績，此次透過將JX金屬的燒結型銅微粉與使用於形成種子層(Seed Layer)的銅濺鍍靶材相結合，成功實現符合TGV應用需求的品質與可靠性。
在以電解鍍銅進行導通孔填孔的製程中，金屬不僅會沉積於孔內，也會覆蓋玻璃基板的平坦表面，導致後段CMP製程須額外去除表面金屬層。相對地，銅漿料僅填充於導通孔內部，可顯著縮短研磨時間，並進一步降低對玻璃基板的機械與熱負荷。目前已有多家企業展開應用評估，JX金屬將持續推動低電阻化等性能提升，期於2026年度內實現產品化的目標。