日本大日精化工業開發了一款可提高半導體與電子材料接著劑性能之改質醯亞胺類樹脂，並開始進行樣品溶劑的推廣，預期可用於耐熱接著劑較多的環氧硬化型改質等用途。此樹脂不僅可提高耐熱性、降低介電常數，並能透過選擇軟質區段賦予應力緩和等機能，計畫將用於晶片接著劑等應用。此外，透過官能基的客製化，該材料也有望應用於光硬化系統，預期亦可適用於先進封裝技術中的重新配線層(RDL)或層間絕緣體等用途。
本次開發的產品是以醯亞胺樹脂為基材之嵌段共聚物(Block Copolymer; BCP)，其軟質區段可依據用途提供多種選擇。除了具有醯亞胺骨架所擁有的長期耐熱性與低熱膨脹係數(CTE)等特性外，亦兼具良好的接著性、低吸水性、低彈性等優點，且針對環氧系接著劑進行添加應用時，亦可滿足其電氣特性。相對介電常數為2.6，介電損耗為0.0046，可提高電子材料用環氧樹脂的電氣特性。此產品之官能基主要為羧基(-COOH)，可根據應用需求選擇性導入丙烯酸酯基(Acrylate Group)。
一般而言，醯亞胺系樹脂須透過使用高沸點溶劑之前驅物溶液以2階段合成，因此進行低溫乾燥較為困難。然而，大日精化開發的產品可溶解於甲基乙基酮(MEK)等低沸點溶劑，成功克服了此一問題。單獨使用時，可在約溫度120~150°C進行乾燥。目前雖仍需要添加環己酮(Cyclohexanone)，但若應用於環氧樹脂硬化類，則可在150～170°C下、一小時內完成乾燥與硬化。
隨著AI半導體市場的快速發展，包含接著劑在內，多種有機材料對於提高耐熱性的需求日益增加，例如用於圖形處理器(GPU)周邊的接著劑，其耐熱需求相較中央處理器(CPU)高出約20~30°C。此外，應用於構成寬頻記憶體(HBM)的DRAM封裝，填充於記憶體之間的底部填充膠(Mold Underfill; MUF)也成為新的應用領域。目前業界採取了各式各樣的方法來改善環氧樹脂，其中針對醯亞胺系材料的改質，除了大日精化之外，Unitika也提出了「耐熱型」與「柔軟性」兩種硬化劑應用方案。