英飛凌(Infineon Technologies)發表成功實現了目前大規模半導體工廠生產之最薄矽功率晶圓之加工處理，厚度僅20 μm、直徑300 mm，此厚度為現今最先進晶圓的一半，僅人類頭髮寬度的四分之一(約40~60 μm)。由於厚度減少了一半，因此減少了50%的基板電阻。此外，在電力系統中的功率損失部分，與既有的矽晶圓相比，將可減少超過15%以上。
對於高階AI伺服器應用而言，電流增大亦促使能源需求上升，因此，將電壓從230 V降低到1.8 V以下的處理器電壓，對於電源轉換而言尤為重要，而超薄晶圓技術將大幅強化基於垂直溝槽MOSFET技術的垂直功率傳輸設計。由於可與AI晶片處理器近距離連接，將能減少功耗並提高整體效率，而厚度20 μm的晶圓加工並不會增加製造的複雜性，新技術可與現有的矽量產線無縫整合。
目前此技術已應用於英飛凌的整合式智慧功率模組(DC-DC轉換器)，並已獲客戶採用。英飛凌也計畫在未來的3~4年內以新技術取代低壓功率轉換器的既有晶圓技術。