日本AGC開發了一項二氧化鈰類化學機械研磨(CMP)漿料專用的洗淨液「YSI-202」，實現了半導體微細化製程發展中所關注的二氧化鈰磨粒殘留微粉的穩定去除，並確認與以往產品相比，殘留物減少了90%以上。
二氧化鈰磨粒透過矽晶圓上的氧化膜與提供電子以實現穩定的研磨，但由於這種電子介導機制，研磨後可能會殘留微粉。隨著半導體製程複雜度日益提升，除了一直受到關注的金屬雜質、顆粒、有機物殘留之外，去除二氧化鈰磨粒的殘留微粉亦成為待解決的課題。
AGC開發的「YSI-202」增加了消除這種電氣機制的機能。尤其是高殘留率的Positive型(正電荷)二氧化鈰類CMP漿料，可發揮洗淨效果。除了維持前段製程洗淨液所要求的平坦度(低蝕刻速率)之外，對於銅佈線的損害也較小，故可望適用於後段製程。