日本TOYO INK SC HOLDINGS開發了一項適用於功率半導體元件層間接合之燒結型奈米銀膏，具有優異的散熱性且無需一般銀材料所需的加壓製程，將可望取代無鉛焊料，應用於碳化矽(SiC)半導體等用途。
隨著電動車(EV)市場的擴大，對於電氣系統控制需求亦與日俱增，除了焊料領域之外，銀燒結材料亦被定位為次世代接合技術。而高功率效率的SiC半導體工作溫度為200～300℃，接合材料須具備高耐熱性，因此期以熔點約960℃的銀取代熔點約為220℃的無鉛焊料。
新開發的奈米銀膏含銀量達87%以上，能以200℃以上的溫度進行燒結，並可與構成元件的銅基板直接接合，熱傳導率為300 W/mk。銀奈米粒子經過特殊設計，可控制粒子表面的保護劑僅在成膜、燒結時分解，進而實現了緻密的成膜與牢固的界面結合。除了無加壓型之外，另有加壓型奈米銀膏製品，可透過均勻且低壓力的接合，抑制對於晶片、基材的損傷。
有別於焊料，既有銀燒結材料難以利用於迴銲(Reflow)快速接合，需要特殊的加壓製程。TOYO INK SC HOLDINGS開發的製品即使在無加壓燒結時亦具有40 MPAa以上的強度，將可解決此項問題，並具有可使用既有迴銲爐等設備的優點。另可適用於金屬遮罩、點膠等多種印刷方式，因應製程調整黏度。