日本三菱瓦斯化學(MITSUBISHI GAS CHEMICAL)針對低介電型半導體封裝基板提出新的設計概念，係將雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide-Triazine Resin; BT樹脂)的其中一層更換成高介電的BT樹脂，進而縮小基板尺寸的技術，有助於省空間化，並可望獲採用於今年上市的高階智慧型手機。三菱瓦斯化學的母工廠去年進行了設備改良，擴充了高介電BT樹脂材料的產品種類。預計今後將隨著5G智慧型手機的發展擴大銷售。
三菱瓦斯化學在半導體封裝基板材料領域握有全球四成的市佔率，獨家技術的BT積層板具有高剛性且低翹曲之特色，因此在追求基板薄型化的智慧型手機領域擁有豐富採用實績。
由於可抑制電氣訊號的傳輸損失，近年來低介電、低介電耗損的積層板在高速・大容量通訊的低介電基板材料用途需求強勁。目前最新的5G智慧型手機的天線封裝(AiP)中亦採用了BT積層板。然而隨著半導體的微細化與高密度裝載，基板甚至出現層疊10層以上低介電型BT基板材料的多層構造，尺寸也隨之大型化。
新設計的基板是將低介電積層板的其中一層更換成高介電的BT基板材料。基板整體設計原則仍為低介電，但設置了一層高介電層，將可精確地控制介電耗損值(Df值)，同時有助於基板尺寸的小型化。高階智慧型手機為了搭載高性能相機或更大的電池，促使內部元件的設計越加困難，而此次的新技術將可提升元件設計的自由度。