稀產金屬株式會社—次世代半導體材料 (氧化鎵 Ga2O3)：材料世界網

稀產金屬於10年前開始開發不純物質最小極限之結晶育成用氧化鎵

■ 次世代半導體材料 — 氧化鎵 Ga₂O₃

稀產金屬致力於開發純度最佳的氧化鎵

► 純度：99.99% Si 含量 5ppm以下

► 純度：99.999% Si 含量 3ppm以下

► 應用：燒結用、結晶生成等

■ 最佳半導體靶材 — 氧化銦 In₂O₃

稀產金屬除了提供純度99.99%氧化銦化合物外，同時也提供如：氯化銦、硝酸銦、氫氧化銦

（廣編企劃）

更多詳細原料供應，請見：

台灣岩谷股份有限公司 https://www.iwatani.com.tw/ja-jp/about

電話：02-2506-6955、傳真：02-2507-2789、EMail：service@iwatani.com.tw

稀產金属株式會社 https://www.kisankinzoku.co.jp/

電話：+81-06-6473-5227

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