稀產金屬株式會社—次世代半導體材料 (氧化鎵 Ga2O3)

 

刊登日期:2023/4/5
  • 字級

稀產金屬於10年前開始開發不純物質最小極限之結晶育成用氧化鎵
 
■ 次世代半導體材料 — 氧化鎵 Ga2O3
稀產金屬致力於開發純度最佳的氧化鎵
   ► 純度:99.99%      Si 含量 5ppm以下
   ► 純度:99.999%    Si 含量 3ppm以下
   ► 應用:燒結用、結晶生成等
 
■ 最佳半導體靶材 — 氧化銦 In2O3
稀產金屬除了提供純度99.99%氧化銦化合物外,同時也提供如:氯化銦、硝酸銦、氫氧化銦
(廣編企劃)
更多詳細原料供應,請見:
台灣岩谷股份有限公司  https://www.iwatani.com.tw/ja-jp/about
電 話:02-2506-6955、傳 真:02-2507-2789、EMail:service@iwatani.com.tw
 
稀產金属株式會社  https://www.kisankinzoku.co.jp/
電 話:+81-06-6473-5227

分享