透明電晶體世代的來臨

 

刊登日期:2005/8/20
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透明電晶體若能應用於液晶顯示器(LCD)和有機發光二極體(OLED)顯示器上,除了可增加畫素密度、開口率和提升顯示器的亮度外,同時亦可降低電力損耗,節省許多成本。目前透明電晶體的通道材料主要分為氧化鋅(ZnO)和InGaZnO兩大半導體氧化物,而由於ZnO本身易缺氧形成導電氧化物,所以如何降低ZnO本質的電子濃度將是ZnO應用於透明電晶體的重要因素;InGaZnO化合物則因為金屬與氧化物之間s軌域和p軌域的結合,除了單晶InGaZnO外,非晶相的InGaZnO亦可當作通道材料,且其載子移動率比非晶矽(a-Si)和有機電晶體(OTFT)高出許多,使得以半導體氧化物取代Si 當作電晶體的通道材料可能性大增。除此之外,由於奈米技術持續發展,已有團隊在研究以奈米線(Nanowire)或奈米碳管(CNT)導入透明電晶體,未來在這方面說不定會有很大的突破。
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