日本半導體企業Novel Crystal Technology發表與佐賀大學共同開發了一項相較於既有製品，致命缺陷減少至10分之1之第3代氧化鎵100 mm磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)。
擁有比GaN、SiC更大能隙(Bandgap)的氧化鎵(β-Ga2O3)可望成為次世代功率半導體材料。目前Novell Crystal Technology已經開發出能夠形成100 mm之氧化鎵磊晶晶圓的成膜裝置，並展開了第二代氧化鎵100 mm磊晶晶圓的製造與銷售。但由於促使元件耐壓特性劣化的致命缺陷大約有10個/cm2，因此無法製作大型元件，電流值限制在10A左右。
此次則進一步調查致命缺陷的原因，著手展開晶圓高品質化的研究。結果顯示，造成致命缺陷的原因主要是在磊晶成膜過程中產生的特定粉末。研究團隊透過改善磊晶成膜條件，成功地將100 mm磊晶晶圓的致命缺陷降低至10分之1，減少到0.7個/cm2。
研究團隊也實際進行了磊晶晶圓的膜厚分佈與施體濃度(Donor Concentration)的測量，確認膜厚分佈約為10 μm ± 5%、施體濃度則是1×1016 cm-3 ± 7%左右，達到應用於功率元件也不會造成問題的水準。另外試作了10×10 mm的肖特基二極體(SBD)，並就其電氣特性與致命缺陷密度進行評估，在正向特性方面，電流從0.8 V左右開始流動並上升至一定程度，確認具有正常的正向特性。
此外，由於測量設備的上限，最大電流值僅調查到50A，但研究團隊表示最大可以流通300～500A。而在反向特性方面，確認即使施加約200V，漏電流仍可抑制在約10-7A左右。今後透過在元件上設置電極終端結構，推估可以實現600～1,200V的耐壓。
此項肖特基二極體試作品的反向特性良率為51%，根據此項數值與實證中使用的電極尺寸推算出致命缺陷密度約為0.7個/cm2。此項結果也意味著將可以80%左右的良率進行100A級氧化鎵功率元件的製造。
目前Novel Crystal Technology也已著手進行第3代氧化鎵100 mm磊晶晶圓產線的建置，希望儘早展開銷售，今後則計畫擴大施體濃度與膜厚指定範圍，並致力於致命缺陷的減少與大口徑化的研究開發。
另外，在新能源產業技術總合開發機構(NEDO)的推動事業方面，目前也已成功地進行了導入溝槽結構(Trench Structure)之耐壓1,200V、低功耗氧化鎵肖特基二極體的實證。今後計畫利用此次開發的晶圓，近一步推動1,200V耐壓溝槽型肖特基二極體的量產技術開發。