將HZO強介電體薄化至4nm,以1V以下的動作電壓即可重複書寫100兆次

 

刊登日期:2021/6/29
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日本東京大學與富士通Semiconductor Memory Solution共同合作,開發出以1V以下極低動作電壓即可重複書寫100兆回的「Hafnia系強介電體記憶體」。研究團隊著眼於低温製程可製作的強介電記憶體HZO,在半導体製造配線工程可允許的溫度以下將HZO強介電體厚度薄化至4 nm,仍可獲得20 μC/cm2以上的極化反轉量。透過這回的薄膜化,可以0.7~1.2 V的低動作電壓換寫資料。
 
資料來源:https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2106/09/news033.html#utm_medium=email&utm
_source=ee-elemb&utm_campaign=20210610


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