日本金澤大學與德國Diamond and Carbon Applications公司共同開發了一項可做為鑽石研磨替代技術，且不會造成機械性損傷的平坦化技術。鑽石具有高介電崩潰電場(Dielectric Breakdown Field)、載體移動度、熱傳導率、長時間的量子資訊儲存等特長，可望應用做為寬能隙半導體予以實用化。但鑽石是硬度最大的物質，且具有化學穩定性，因此較不易進行研磨或加工的處理。
一般鑽石表面的平坦化多採用鑄鐵盤(Scaife)的研削法，但鑄鐵盤研削是利用鑽石粒子的機械研磨，會讓鑽石表面產生機械性損傷，造成裝置特性劣化的問題，因此對於不會造成機械性損傷，且低成本、可大量生產之鑽石平坦化製程的開發需求也提升。
在此次研究中，研究團隊讓平坦的鎳(Ni)基板與鑽石基板互相接觸，並予以退火處理(Annealing)，進而成功地將鑽石突起的部分有效率地蝕刻(Etching)。此外，研究團隊在2月已先行發表一項不會產生機械性損傷的刻印技術(Imprint)，係以碳固溶於鎳之鑽石蝕刻為基軸，並將製作出的鎳鑄型應用於鑽石刻印的技術，並採用於這次的研究中。利用此次的研發成果，將可望促進鑽石晶圓研磨大面積化、低成本化、去除機械性損傷的實現，並進一步推動鑽石半導體的實用化。