450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(下)

 

刊登日期:2012/1/5
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加工的細緻方法為拋光(Polishing)。若加工物的面積不大,可以大顆的磨粒快速拋光,再以小顆的微粉精拋使其表面光滑。然而大平面的拋光需要顧及宏觀的平坦度(Planarization),而其最困難的工作為拋光2015 年將登場的450 mm(18 吋)大晶圓(Jumbo Wafer)。如果大晶圓上又密佈比病毒(Virus) (30~60 nm)更小的電晶體(Transistor),這個技術就更難上加難。尤其是拋光的速度不能慢,才能符合製造效率及生產成本的要求。本文介紹世界最尖端的化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization; CMP)技術,可用以生產22 nm 或更小線寬的集成電路(積體電路(Interconnected Circuits; IC)),甚至在450 mm 的大晶圓上也能快速拋光。


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