能源半導體被廣泛應用於各種方面，包含家電的冷氣、冰箱以及汽車、火車、太陽電池等，預計2030年市場規模將達到20兆日圓，下一代能源半導體材料中，鑽石無論是Band Gap、移動度、絕緣破壞電界等性能都比GaN、SiC來得優異，例如Si的電力損失是1時，鑽石的電力損失為0.0002，GaN為0.001，SiC為0.01。 日本金澤大學針對鑽石半導體研發出低成本製造技術，相較於GaN、SiC等能源半導體的製造成本居高不下，新技術的材料成本低，低溫結晶化且可低成本製膜，並採用強誘電體作為Gate絕緣膜，今後將與企業共同研究開發多結晶鑽石製造與有機材料合成技術。 資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(下) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(中) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(上) 碳化矽治具用於半導體前端製程之介紹 以氧化鎵製作電晶體之量產技術 熱門閱讀 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列一 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列三 NEPCON JAPAN 2019 日本東京特別報導系列二 從Finetech Japan 2018看OLED之進展 全球電動車市場發展動向與熱門議題 相關廠商 金屬3D列印服務平台 名揚翻譯有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司