能源半導體被廣泛應用於各種方面，包含家電的冷氣、冰箱以及汽車、火車、太陽電池等，預計2030年市場規模將達到20兆日圓，下一代能源半導體材料中，鑽石無論是Band Gap、移動度、絕緣破壞電界等性能都比GaN、SiC來得優異，例如Si的電力損失是1時，鑽石的電力損失為0.0002，GaN為0.001，SiC為0.01。 日本金澤大學針對鑽石半導體研發出低成本製造技術，相較於GaN、SiC等能源半導體的製造成本居高不下，新技術的材料成本低，低溫結晶化且可低成本製膜，並採用強誘電體作為Gate絕緣膜，今後將與企業共同研究開發多結晶鑽石製造與有機材料合成技術。 資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 不會造成機械性損傷之鑽石平坦化技術，可望促進鑽石半導體實用化 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(下) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(中) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(上) 碳化矽治具用於半導體前端製程之介紹 熱門閱讀 從ICSRSM 2023看碳化矽材料領域發展(上) 鋼鐵產業低碳製程技術發展趨勢 Ga2O3功率元件於電動車應用的發展(上) 高安全鋰電池材料與技術 聚焦二氧化碳再利用，推動脫化石資源依賴 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司