能源半導體被廣泛應用於各種方面，包含家電的冷氣、冰箱以及汽車、火車、太陽電池等，預計2030年市場規模將達到20兆日圓，下一代能源半導體材料中，鑽石無論是Band Gap、移動度、絕緣破壞電界等性能都比GaN、SiC來得優異，例如Si的電力損失是1時，鑽石的電力損失為0.0002，GaN為0.001，SiC為0.01。 日本金澤大學針對鑽石半導體研發出低成本製造技術，相較於GaN、SiC等能源半導體的製造成本居高不下，新技術的材料成本低，低溫結晶化且可低成本製膜，並採用強誘電體作為Gate絕緣膜，今後將與企業共同研究開發多結晶鑽石製造與有機材料合成技術。 資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 EDP推出1吋單晶鑽石晶圓，邁向鑽石元件實用化 不會造成機械性損傷之鑽石平坦化技術，可望促進鑽石半導體實用化 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(下) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(中) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(上) 熱門閱讀 玻璃基板上TGV的金屬化製程 玻璃成孔技術發展現況 半導體用抗反射層材料 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 半導體用光酸材料技術 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司