能源半導體被廣泛應用於各種方面，包含家電的冷氣、冰箱以及汽車、火車、太陽電池等，預計2030年市場規模將達到20兆日圓，下一代能源半導體材料中，鑽石無論是Band Gap、移動度、絕緣破壞電界等性能都比GaN、SiC來得優異，例如Si的電力損失是1時，鑽石的電力損失為0.0002，GaN為0.001，SiC為0.01。 日本金澤大學針對鑽石半導體研發出低成本製造技術，相較於GaN、SiC等能源半導體的製造成本居高不下，新技術的材料成本低，低溫結晶化且可低成本製膜，並採用強誘電體作為Gate絕緣膜，今後將與企業共同研究開發多結晶鑽石製造與有機材料合成技術。 資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 EDP推出1吋單晶鑽石晶圓，邁向鑽石元件實用化 不會造成機械性損傷之鑽石平坦化技術，可望促進鑽石半導體實用化 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(下) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(中) 450mm晶圓的超聲化學機械平坦化(上) 熱門閱讀 從分子設計到原子級控制，半導體前段製程材料的挑戰與機會 先進封裝技術與異質整合發展趨勢分析：以TSV、CoWoS與FOPLP為例 「三高一快」的高能量快速充電鋰電池技術 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 由VLSI 2025 窺看半導體與AI運算技術的結合(上) 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司