能源半導體被廣泛應用於各種方面，包含家電的冷氣、冰箱以及汽車、火車、太陽電池等，預計2030年市場規模將達到20兆日圓，下一代能源半導體材料中，鑽石無論是Band Gap、移動度、絕緣破壞電界等性能都比GaN、SiC來得優異，例如Si的電力損失是1時，鑽石的電力損失為0.0002，GaN為0.001，SiC為0.01。
日本金澤大學針對鑽石半導體研發出低成本製造技術，相較於GaN、SiC等能源半導體的製造成本居高不下，新技術的材料成本低，低溫結晶化且可低成本製膜，並採用強誘電體作為Gate絕緣膜，今後將與企業共同研究開發多結晶鑽石製造與有機材料合成技術。
資料來源: 化學工業日報/材料世界網編譯