可耐受曲率半徑1mm/100萬次彎曲之可撓式薄膜電晶體

 

刊登日期:2021/4/19
  • 字級

日本凸版印刷發表成功地開發了以曲率半徑1mm可彎曲100萬次,具有高可撓性、高耐久性、高載子移動率的新構造可撓式薄膜電晶體(TFT),且新開發的薄膜電晶體擁有載子移動率10 cm2/Vs以上、電源On/Off比107以上的實用特性。

凸版印刷以其在成膜、印刷、薄膜處理等領域的獨家技術,開發出新薄膜電晶體具有可以捲繞於鉛筆芯般的高可撓性,以及與軟性印刷迴路基板相近的高耐久性,且兼具非晶矽薄膜電晶體(Amorphous Silicon Thin Film Transistors)10倍以上的高載子移動率。

新款可撓式薄膜電晶體活用了已適用於量產的技術,進而開發出全新構造。經過曲率半徑1mm/100萬次的彎曲實驗,確認並未出現載子移動率變動等特性的變化,顯示具有優異的可撓性、耐久性。今後凸版印刷將持續推動製造技術的開發,進一步提升新構造可撓式薄膜電晶體的各項特性,並著手展開在可撓式感測器領域的用途開發。


資料來源: https://www.toppan.co.jp/news/2021/03/newsrelease210312_2.html
分享