日本北海道大學發表製作出一項深紫外線能穿透過去的透明薄膜電晶體，將可望應用於在照射殺菌燈深紫外線的狀態下，亦能穩定運作之新一代生物感測器的原型。
研究團隊將能隙達4.6eV、高導電率(3,000 S/cm)的氧化物半導體「SrSnO3」做為薄膜電晶體的活性層，並利用脈衝雷射沉積法(Pulsed Laser Deposition)製作而成。活性層膜厚28µm、閘極絕緣體薄膜膜厚300µm、相對介電常數為12。
製作出的薄膜電晶體隨著閘極電壓的增加，n通道(n-channel)也出現了電晶體作用。隨著洩極電壓(Drain Voltage)的增加，可觀察到洩極電流增加與電流飽和，確認出現相當於一般場效電晶體(FET)的效能。
此外，未含有電極狀態下的薄膜電晶體在可見光/近紅外線領域呈現80%以上的透過率及15%的反射率。另確認即使DNA的光吸收波長為260nm，透過率也能超過50%。
有別於既有以半導體矽做為活性層的電晶體，新開發的薄膜電晶體在殺菌燈照射下亦能穩定動作，將可望應用於生物感測器，調查殺菌燈照射前後對DNA的電晶體造成的影響。